申报

指南

 

 

2020年度广东省重点领域研发计划“芯片、软件与计算”（芯片类）重大专项项目

2020 年度共设置EDA 技术研发与应用、集成电路制造工艺、异构封装技术、装备及零部件、产业创新生态五个专题17 个项目方向，拟支持不超过22 项，项目实施周期为3～4 年。

 

专题一项目4 与专题二项目2 选取该领域有优势的单位定向委托实施。

申报时间：

申报单位网上集中申报时间：

2020年8月7日～9月7日17:00

 

主管部门网上审核推荐截止时间：

2020年9月13日17:00

 

专题一：EDA工具技术研发及应用（专题编号：20200127）

 

项目1：数字芯片设计的EDA 技术创新与应用

研究内容●●

以提升广东省数字芯片（包括但不限于：CPU、GPU、FPGA等高端通用芯片、各类处理器，物联网智能硬件核心芯片、车规级AI（人工智能）芯片等专用芯片，以及面向通信、人工智能、超高清视频、汽车、卫星应用、智能家居、智慧医疗、电子办公等各类系统级SoC芯片）设计水平为目标，通过EDA工具的优化和创新，重点支撑定制架构、芯片安全、低功耗、异构计算、硬件加速等芯片核心关键技术的攻克。

 

开展集成电路设计方法学研究，针对先进节点数字芯片设计中设计流程多变，时序收敛要求高，布线密度大，功能和性能验证复杂度高等设计方法问题，进行技术创新，开发与芯片设计核心关键技术相关的EDA工具，包括但不限于设计流程自动化、硬件描述和高层次综合的编程语言与形式化验证、编程模型与编译映射、逻辑仿真、逻辑综合、仿真验证、布局布线等工具。

 

将开发的创新EDA工具推广应用至数字集成电路芯片设计中，提升亿门级数字芯片的设计质量及效率，并在芯片设计过程中对EDA工具进行验证及优化。

申报要求●●

须企业牵头，鼓励芯片设计单位与EDA工具研发单位联合，EDA工具研发单位承担不低于20%的工作量。

支持强度●●

拟支持2～3项，资助额度不超过1000万元/项。

 

 

项目2：模拟或数模混合集成电路芯片设计的EDA 技术创新与应用

研究内容●●

以提升广东省模拟或数模混合芯片（包括但不限于：

 

功率器件、传感器、射频电路、显示驱动电路、电源管理电路、毫米波电路等芯片）设计水平为目标，通过EDA工具的优化和创新，重点支撑新工艺、新架构、信号完整性、芯片稳定性、异质集成等芯片核心关键技术的攻克。

 

开展集成电路设计方法学研究，针对先进工艺节点或特色工艺节点的模拟或数模混合集成电路芯片设计中自动化程度偏低，计算机仿真、验证复杂度高等设计方法问题，进行技术创新，开发与芯片设计核心关键技术相关的EDA工具，包括但不限于设计流程自动化、电路仿真分析等工具，重点突破传统SPICE框架，仿真精度与实测电路性能相比误差在10%以内。

 

将开发的创新EDA工具推广应用至模拟与数模混合集成电路芯片设计中，提升芯片的设计质量及性价比，并在芯片设计过程中实现EDA工具的验证优化及应用。

申报要求●●

须企业牵头，鼓励芯片设计单位与EDA工具研发单位联合，EDA工具研发单位承担不低于20%的工作量。

支持强度●●

拟支持1～2项，资助额度不超过1000万元/项。

 

 

项目3：存储芯片设计的EDA 技术创新与应用

研究内容●●

以提升广东省存储芯片设计水平为目标，通过EDA工具的优化和创新，重点支撑新协议、存算一体、物理不可克隆、大容量、自纠错、稳定性等芯片核心关键技术的攻克。

 

开展集成电路设计方法学研究，针对先进节点（14纳米或以下）存储芯片设计中晶体管密集，设计余量低，工艺偏差对芯片质量和良率影响大等设计方法问题，进行技术创新，开发与芯片设计核心关键技术相关的EDA工具，包括但不限于存储编译器、高精度仿真工具、快速验证工具等，充分利用存储芯片阵列高度结构化的特点，通过网络划分，模型降阶以及超大规模并行化等创新技术，在维持足够低精度的前提下提高仿真效率、容量和速度；

 

研究快速蒙特卡洛方法等新技术，提升高Sigma验证的准确性及速度。

 

将开发的创新EDA工具推广应用至闪存、DRAM、SRAM和MRAM等先进存储芯片设计中，提升芯片的设计质量及效率，并在芯片设计过程中对实现EDA工具的优化及应用。

申报要求●●

须企业牵头，鼓励芯片设计单位与EDA工具研发单位联合，EDA工具研发单位承担不低于20%的工作量。

支持强度●●

拟支持1 项，资助额度不超过1000 万元/项。

专题二：集成电路制造工艺（专题编号：20200128）

 

项目1：基于模拟特色工艺的器件精准模型及PDK 工艺库研发

研究内容●●

以重点提升广东省模拟芯片，尤其高端数模混合芯片设计以及其工程化设计水平为目标，攻克特色模拟半导体工艺、基于特色模拟工艺的精确器件物理模型以及芯片设计PDK 工艺库。

 

从半导体材料本质出发，开展基础性器件物理研究，突破可复制的从特色工艺、器件物理模型、到芯片设计的关键技术。

 

围绕高性能数模混合芯片设计需求及产业化“瓶颈”，重点研发能精确反映特色工艺的器件物理模型（包括不同偏置状态、温度条件、工艺角、工艺波动等）以及其相关的噪声模型和可靠性模型，构建灵活、精简、高效的半导体器件紧凑模型，尤其是有源器件的模型，并能实现与各类EDA 工具的快速整合，提升仿真效率，优化模型的收敛速度。

 

进一步建立不少于一个典型芯片的基于特色工艺及模型的芯片设计PDK 工艺库，开发高端的数模混合芯片产品，包括但不限于高精度、低漂移电压基准，超低失调电压放大器，高精度模数、数模转换芯片、IO 以及ESD 宏模型等，为芯片设计整体精准仿真提供平台。

申报要求●●

须芯片制造企业牵头承担。

支持强度●●

拟支持1 项，资助额度不超过2000 万元/项。

专题三：集成电路封装关键技术（专题编号：20200129）

 

项目1：异构集成关键技术的研发和应用

研究内容●●

以研发半导体产业先进的精细线路芯片间异构互连多器件封装为重点，开展基于三维封装、扇出封装、晶圆级封装、倒装芯片封装、DFN/QFN 无引线封装、系统级封装、真空封装、MEMS 技术等先进封装技术的集成创新研发，实现功能化元器件架构创新、5μm 到40μm 的线宽线距的高带宽芯片间的高能效处理器和储存器互连、紧凑型系统集成等，在射频模块、功率器件、传感器、存储器单元、光电异构器件，以及集成硅器件和无源器件（如大容量电容、特种电感、滤波器）等领域开展产品应用。

 

产品的技术指标要优于传统工艺的指标，技术水平达到国内领先。

 

掌握核心生产制造技术，储备知识产权，为量产指明方向。

支持强度●●

拟支持2 项，资助额度不超过1000 万元/项。

 

 

项目2：先进精细线路封装面板级工艺研发

研究内容●●

开发和量产在200mm 以上面板尺寸基于高密度精细线路的刚性基板、柔性基板、刚柔结合基板等高端封装基板，推动高密度高精度（最小线宽线距，放焊材料，开孔等）和高性能（低损耗，高可靠性，小尺寸高频）的封装基板制造的自主可控国产化。

 

开发面板级扇出封装射频和功率器件的量产，实现高集成度、小尺寸、价格有竞争力的新面板级扇出封装产业化，技术水平达到国内领先。

申报要求●●

须企业牵头，鼓励产学研联合方式申报。

支持强度●●

拟支持1 项，资助额度不超过1000 万元/项。

专题四：集成电路装备及零部件（专题编号：20200130）

 

项目1：远程等离子源研发

研究内容●●

研究基于高频电压的电极负直流电压产生技术、正离子轰击电极加速技术、双高频电压离子轰击及高离子通量放电协同控制技术、远程大口径等离子产生及远程稳定维持技术；

 

研究等离子体内部离子密度测量、温度测量，空间分布均匀性测量、自由基测定，借助发射光谱分析转动能带，远程原位等离子体原位诊断技术、X 射线光谱和等离子体图像获取等原位测试分析技术，研制远程等离子体源设备，并在芯片制造行业开展示范应用，技术水平达到国内领先。

支持强度●●

拟支持1 项，资助额度不超过1000 万元/项。

 

 

项目2：高温高精度分子束源炉研发及产业化

研究内容●●

面向量子器件、红外与毫米波器件以及5G 通讯技术发展需求，开展分子束（MBE）源炉加热单元的热力学分析，突破凸凹热屏蔽技术和宽接触补偿热偶控温技术，实现多温区高精度测温、控温与保温结构设计，研制具有自主知识产权的高温高精度MBE 源炉，并在国产FW-VI 型分子束外延设备上开展示范应用，外延生长出GaAs、AlGaAs、InGaAs等高质量材料，技术水平达到国内领先，满足新型器件的制备需求。

支持强度●●

拟支持1 项，资助额度不超过2000 万元/项。

 

 

项目3：碳化硅高温氧化炉装备研发

研究内容●●

研发高温氧化炉装备，研究降低单极性器件金属氧化物场效应管（MOSFET）栅介质SiO2与碳化硅（SiC）之间的界面态密度的技术，提升沟道载流子迁移率；

 

调控混合型双极型器件绝缘栅双极晶体管（IGBT）结构中的n型漂移区以及p型空穴注入区的载流子寿命。提高迁移率，降低器件的导通损耗；

 

将载流子寿命控制在一定范围之内，大幅提升SiC器件的高频性能，保持器件开关频率特性的同时使关断损耗下降，从而降低器件的功耗，技术水平达到国内领先。

支持强度●●

拟支持1 项，资助额度不超过1000 万元/项。

 

项目4：半导体设备用低温泵研发

研究内容●●

研究小型G-M 制冷机的超低温气体捕获机理及氦气专用压缩机技术，对制冷机单元和真空抽气单元的进行模型和设计仿真；

 

开发具有自主知识产权的低温泵智能控制系统和网络低温泵组控制系统；

 

研究大抽气容量和快速压力回收技术，开发薄壁气缸、超低温（10K）回热器、超低温（10K）密封件等核心零部件量产技术；

 

建立半导体用低温泵评价体系，制定半导体用低温泵相关技术标准。

 

研发半导体用低温泵系统与高端装备国产半导体设备专用低温泵，并开展产业化量产研究，技术水平达到国内领先。

支持强度●●

拟支持1 项，资助额度不超过1000 万元/项。

 

 

项目5：高精度无掩模激光直写制版技术与装备

研究内容●●

研究可用于稳定制作高精度集成电路掩模版的高性能激光直写装备关键工艺技术，研究激光光束准直、扩束和聚焦，镜头设计，电动平台传动控制（主要为工件台速度与精度），视觉识别及反馈控制，拼接及套刻精度控制，系统控制软件的设计等环节关键技术，研究整机制造技术，开发具有自主知识产权的国产高精度无掩模激光直写制版装备，在高精度光学掩模版及传感器芯片等制造中开展示范应用，技术水平达到国内领先。

支持强度●●

拟支持1 项，资助额度不超过1000 万元/项。

 

 

项目6：300mm 图形套刻对准测量设备研发及产业化

研究内容●●

面向国内20-14nm 节点的集成电路检测和测量需求，开发图形套刻对准测量设备，突破关键技术，获得核心自主知识产权。

 

完成关键技术与核心部件研发，包括高数值孔径高角分辨率散射成像技术、多通道高信噪比光谱信号提取技术、高精度套刻量测信号解析技术、强鲁棒性自适应光学聚焦技术、高速高精度晶圆运动位移控制技术、高速图像数据处理技术等。

支持强度●●

拟支持1 项，资助额度不超过1000 万元/项。

专题五：集成电路创新生态（专题编号：20200131）

 

项目1：面向国产计算芯片生态的技术研发及应用

研究内容●●

研究基于国产计算芯片的自主可控计算平台技术，开展高能效、低功耗的体系架构创新，优化芯片设计，提升芯片计算能力，形成自主知识产权。

 

针对数据中心大数据计算、分布式存储、ARM 原生应用等场景，优化分支预测算法、提升运算单元数量、改进内存子系统架构，提高国产芯片性能。

 

研究优化系统适用性和集成度的架构创新方法，实现不同功能类型芯片的异构集成。

 

研究示范应用所需要的应用迁移技术、性能分析调优技术，面向重点行业和关键业务，有效开展计算平台在相关领域的产业化示范应用，提升国产计算平台的竞争力和产业规模。

申报要求●●

须企业牵头，鼓励产学研联合方式申报。

支持强度●●

拟支持1 项，资助额度不超过1000 万元左右/项。

 

 

项目2：面向星基增强高精度超低功耗北斗芯片生态的技术研发及应用

研究内容●●

针对国产卫星导航系统在航空、交通、智慧物联、船舶、应急救援等重点领域的应用需求，研制新一代基带信号处理、射频信号处理、多源融合一体化定位、定位与短报文一体化等芯片与模组，优化并完善国产卫星导航系统的生态链。

 

针对当前终端产品定位精度不足、抗干扰能力差等现状，突破卫星信号高精度跟踪、信源识别防欺骗等关键技术，研制高精度、抗干扰基带信号处理芯片与射频信号处理芯片。

 

针对模组功耗高、体积大等现状，突破多源融合定位信号接入、低噪声射频接收与抗干扰等技术，研制低功耗、低成本、多源融合一体化定位芯片。

 

针对远洋渔业、航运等领域中全球覆盖性要求高、全球短报文服务系统容量大等应用需求，突破智能位姿感知、选频发射等技术，研制定位与短报文一体化芯片。

 

选择上述的一个方向开展研究，所研发芯片应通过第三方权威机构的检测与认证，在具体民用产品上取得规模化应用与推广。

申报要求●●

须企业牵头，鼓励产学研联合方式申报。

支持强度●●

拟支持1 项，资助额度不超过1000 万元/项。

 

 

项目3：大型装置中高性能电子元器件研发及产业化

研究内容●●

汽车电子系统、空调系统、高端电视（4K 和8K 等）等装置中大量使用的高性能处理器和大功率驱动器件，如微控制器、模数数模转换器件、电源管理器、射频模块/芯片、功率驱动器件等，对整机成本与性能具有决定性作用。

 

本专题拟以装置中使用的高性能集成电路开展高性能电子元器件研发攻关，并完成实际应用和产业化，形成知识产权的关键技术及产品。

 

工业类控制器、模数转换、处理器等，开展系统上优化集成，突破创新架构，在算力提升和先进工艺制造、系统集成与开发、高性能编/解码等方面取得突破；

 

电源管理芯片在精密基准技术、高响应高可靠性控制技术、噪声和纹波抑制技术，提高芯片应用水平的上取得突破；

 

功率驱动器件在可靠性、击穿电压和工作结温提升上实现突破。

 

通过本项目的实施，鼓励具有广泛产业化基础、良好投资实力和研发能力的大企业发挥自身的应用优势，瞄准最核心部件开展研发，实现核心半导体芯片和元器件的国产以及整机系统应用。

申报要求●●

须企业牵头，鼓励产学研联合方式申报。

支持强度●●

拟支持2 项，资助额度不超过1000 万元/项。

 

联系人及电话

1.高新技术处（专题业务咨询）：

李传印，020-83163875

 

2.业务受理及技术支持：

020-83163930、83163338

3.资源配置与管理处（综合性业务咨询）：

司圣奇　020-83163838

 

制作：省科技监测中心

转载自：广东科技公众号